氬離子拋光儀的應用範圍及技術規格

點擊次數：1495 更新時間：2021-05-20

　　氬離子拋光儀采用離子束斜坡切割法製備各種較好的固體材料橫截麵平麵樣品，用於SEM成像觀察及顯微分析；也可通過對樣品進行溫和拋光和清潔處理，用於電子背散射衍射(EBSD)研究以及取向分布成像顯微分析(OIM)的樣品製備。

　　氬離子拋光儀的技術規格：

　　離子源：兩隻離子槍；聚焦高能離子槍，能量範圍2keV to 10keV；聚焦低能離子槍，能量範圍100eV to 2keV

　　連續和獨立可調減薄能量；束流密度： zei大240mA/cm(聚焦高能離子槍)；zei大10mA/cm(聚焦低能離子槍)

　　濺射速率： 180 μm/h(Si at 30，聚焦高能離子槍)；28 μm/h(Si at 30，聚焦低能離子槍)

　　樣品台：樣品尺寸：斜坡切割樣品座：zei大20mm x 20mm x 4mm；用於EBSD表麵清潔的樣品座：zei大25mm x 15mm；樣品定位：高精度樣品定位(斜坡切割)：精度<2 μm；樣品傾斜： 0° to 30°；樣品旋轉：平麵轉動360°；樣品振蕩：平麵振蕩+10° to 45°

　　真空係統：無油隔膜泵加渦輪分子泵，複合真空計(皮拉尼/潘寧)

　　氣體供給： 99.999%高純氬氣，帶有電動針閥的高精度工作氣流控製

　　成像係統：高分辨率CCD相機，帶有手動變焦鏡頭，放大倍數50-400x

　　電腦控製：易使用圖形用戶界麵，帶有可選的圖像處理模塊，自動設置離子源、減薄參數及操作控製